Si1905BDH
Dual p-channel 1.8-v (g-s) mosfet
Версия для печати
Технические характеристики Si1905BDH
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 542 mOhm @ 580mA, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 630mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 62pF @ 4V |
| Power - Max | 357mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SC-70-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
Si1905BDH (MOSFET)
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Производитель:
Vishay
|
