Si1926DL
Dual n-channel 60-v (d-s) mosfet
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 340mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 370mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 18.5pF @ 30V |
| Power - Max | 510mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SC-70-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si1926DL (MOSFET) Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Производитель:
|
 | L-53SF4C Длина волны,нм 880Мощность излучения P,мВт 30Прямое напряжение,В 1.3 при токе Iпр.,мА 20Ширина спектра излучения,нм 50Видимый телесный угол,град 30Мак... Купить |
 | AM1P-2403DZ DC/DC преобразователь мощностью 1Вт, вход 21.6:26.4В, выход +3.3В/150+мА, изоляция 1000В DC, -40:+85°С Купить |
 | IXTP05N100M High voltage mosfet Купить |
