Si1970DH
Dual n-channel 30-v (d-s) mosfet
Версия для печати
Технические характеристики Si1970DH
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 95pF @ 15V |
| Power - Max | 740mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SC-70-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
Si1970DH (MOSFET)
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Производитель:
Vishay
|
