Si2305DS
P-channel 1.25-w, 1.8-v (g-s) mosfet
|
Версия для печати
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1245pF @ 4V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si2305DS (MOSFET) P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
Производитель:
|
