Si2309DS

Версия для печати

Технические характеристики Si2309DS

Серия	TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 1.25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.25A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Power - Max	1.25W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3 (TO-236)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si2309DS (MOSFET)

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si2309DS datasheet
92.4 Кб