Si3465DV


P-channel 20-v (d-s) mosfet

Купить Si3465DV ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
Si3465DV
Версия для печати

Технические характеристики Si3465DV

СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs80 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs5nC @ 5V
Power - Max1.14W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si3465DV (MOSFET)

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si3465DV datasheet
96.2 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход