Si3879DV


P-channel 20-v (d-s) mosfet with schottky diode

Купить Si3879DV ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
Si3879DV
Версия для печати

Технические характеристики Si3879DV

FET FeatureDiode (Isolated)
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
СерияLITTLE FOOT®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs70 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5A
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds480pF @ 10V
Power - Max3.3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si3879DV (MOSFET)

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Производитель:
Vishay

Si3879DV datasheet
134 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход