Si3981DV
Dual p-channel 20-v (d-s) mosfet
Версия для печати
Технические характеристики Si3981DV
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Power - Max | 800mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Корпус | 6-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
Si3981DV (MOSFET)
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Производитель:
Vishay
|
