Si4398DY

Версия для печати

Технические характеристики Si4398DY

Серия	WFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	19A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5620pF @ 10V
Power - Max	1.6W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si4398DY (MOSFET)

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET

Производитель:
Vishay

Si4398DY datasheet
97.9 Кб