Si4946BEY

Версия для печати

Технические характеристики Si4946BEY

Серия	TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 5.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	840pF @ 30V
Power - Max	2.4W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si4946BEY (MOSFET)

Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si4946BEY datasheet
122.2 Кб