Si4963BDY


Dual p-channel 2.5-v (g-s) mosfet

Si4963BDY (заказ)
Si4963BDY

Технические характеристики Si4963BDY

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs32 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.9A
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs21nC @ 4.5V
Power - Max1.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru