Si6423DQ

Версия для печати

Технические характеристики Si6423DQ

Серия	TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 400µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 5V
Power - Max	1.05W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус	8-TSSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si6423DQ (MOSFET)

P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si6423DQ datasheet
94.3 Кб