Si6463BDQ
P-channel 1.8-v (g-s) mosfet
|
Версия для печати
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 5V |
| Power - Max | 1.05W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус | 8-TSSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si6463BDQ (MOSFET) P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Производитель:
|
