Si6968BEDQ
Dual n-channel 2.5-v (g-s) mosfet common drain, esd protection
Версия для печати
Технические характеристики Si6968BEDQ
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус | 8-TSSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
Si6968BEDQ (MOSFET)
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
Производитель:
Vishay
|
