Si7212DN


Dual n-channel 30-v (d-s) mosfet

Si7212DN (заказ)
Si7212DN

Технические характеристики Si7212DN

СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs36 mOhm @ 6.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.9A
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
Power - Max1.3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® 1212-8 Dual
КорпусPowerPAK® 1212-8 Dual
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru