Si7212DN
Dual n-channel 30-v (d-s) mosfet
Технические характеристики Si7212DN
Серия | TrenchFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.8A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.9A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Power - Max | 1.3W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Корпус | PowerPAK® 1212-8 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru