Si7900AEDN
Dual n-channel 20-v (d-s) mosfet, common drain
Версия для печати
Технические характеристики Si7900AEDN
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® 1212-8 |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
Si7900AEDN (MOSFET)
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain
Производитель:
Vishay
|
