Si7949DP
Dual n-channel 60-v (d-s) mosfet
Версия для печати
Технические характеристики Si7949DP
Серия | TrenchFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 5A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.2A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Power - Max | 1.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 Dual |
Корпус | PowerPAK® SO-8 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si7949DP (MOSFET)
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Производитель:
Vishay
|
С этим товаром покупают: