Si7958DP
Dual n-channel 40-v (d-s) mosfet
|
Версия для печати
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Power - Max | 1.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si7958DP (MOSFET) Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
Производитель:
|
 | ВК-43-21-01131 1Р КРАСН. Применяются в пультах управления, электрошкафах подвижных и стационарных электроустановок в промышленном оборудовании и на объектах электроэнергетики.... 328.00 руб Купить |
 | M51166P AUD усилители записи-воспроизведения, (DUAL CASSETTE) Купить |
 | HDSP-515G Семисегментный светодиодный индикатор серии slim font, высота символа 13 мм (0.51") Купить |
