Si8402DB
20-v n-channel 1.8-v (g-s) mosfet
Версия для печати
Технические характеристики Si8402DB
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.47W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Корпус | 4-Microfoot |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
Si8402DB (MOSFET)
20-V N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Производитель:
Vishay
|
