Si8900EDB
Bidirectional n-channel 20-v (d-s) mosfet
Версия для печати
Технические характеристики Si8900EDB
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1.1mA |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 10-MICRO FOOT®CSP |
| Корпус | 10-Micro Foot™ (2x5) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
Si8900EDB (MOSFET)
Bidirectional N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Производитель:
Vishay
|
