Si9407BDY

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
Si9407BDY (VISHAY)	4	41.56

Версия для печати

Технические характеристики Si9407BDY

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 3.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	600pF @ 30V
Power - Max	5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si9407BDY (MOSFET)

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si9407BDY datasheet
135.7 Кб