Si9926CDY
Dual n-channel 20-v (d-s) mosfet
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si9926CDY (MOSFET) Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Производитель:
|
