SiB414DK


N-channel 1.2-v (g-s) mosfet

Купить SiB414DK ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SiB414DK
Версия для печати

Технические характеристики SiB414DK

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs26 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14.03nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds732pF @ 4V
Power - Max13W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SC-75-6L
КорпусPowerPAK® SC-75-6L Single
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SiB414DK (MOSFET)

N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

SiB414DK datasheet
145.5 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход