SiB419DK


P-channel 12-v (d-s) mosfet

Купить SiB419DK ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SiB419DK
Версия для печати

Технические характеристики SiB419DK

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs11.82nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds562pF @ 6V
Power - Max13.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SC-75-6L
КорпусPowerPAK® SC-75-6L Single
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SiB419DK (MOSFET)

P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

SiB419DK datasheet
145.8 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход