SiE726DF

Версия для печати

Технические характеристики SiE726DF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SkyFET®, TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	60A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	160nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7400pF @ 15V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	10-PolarPAK® (L)
Корпус	10-PolarPAK® (L)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SiE726DF (MOSFET)

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Производитель:
Vishay

SiE726DF datasheet
144 Кб