SiE820DF
N-channel 20-v (d-s) mosfet
|
Версия для печати
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 18A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 143nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4300pF @ 10V |
| Power - Max | 104W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 10-PolarPAK® (S) |
| Корпус | 10-PolarPAK® (S) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SiE820DF (MOSFET) N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Производитель:
|
