SiZ700DT
N-channel 20-v (d-s) mosfets
Версия для печати
Технические характеристики SiZ700DT
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 16A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 10V |
| Power - Max | 2.36W, 2.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-PowerPair™ |
| Корпус | 6-PowerPair™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
SiZ700DT (MOSFET)
N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs
Производитель:
Vishay
|
