SS1H10

Высоковольтный диод шотки в корпусе для поверхностного монтажа. улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода

Низкопрофильный корпус
Идеален для автоматического позиционирования на печатной плате
Защита от перенапряжения
Низкое падение прямого напряжения, низкая потеря мощности
Малый ток утечки
Высокая эффективность
Максимальная температура при пайке на выводах 260°C, в соответствии SL level 1, J-STD-020
Бессвинцовая технология

Версия для печати

Технические характеристики SS1H10

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	770mV @ 1A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	1µA @ 100V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	DO-214AC (SMA)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SS1H10 (Диоды Шоттки)

Высоковольтный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода

Производитель:
Vishay

SS1H10 datasheet
98.4 Кб