STB12NK80Z

Версия для печати

Технические характеристики STB12NK80Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5.25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2620pF @ 25V
Power - Max	190W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB12NK80Z (MOSFET)

N-channel 800V - 0.65? - 10.5A - D2PAK Zener - Protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB12NK80Z datasheet
355.9 Кб