STB12NM50


N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a d2/i2pak mdmesh™ power mosfet

Купить STB12NM50 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STB12NM50
Версия для печати

Технические характеристики STB12NM50

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияFDmesh™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs400 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C12A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1000pF @ 25V
Power - Max160W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB12NM50 (MOSFET)

N-channel 550V @ tjmax - 0.30? - 12A D2PAK/I2PAK MDmesh™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB12NM50 datasheet
542.9 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход