STB22NS25Z

Версия для печати

Технические характеристики STB22NS25Z

Серия	MESH OVERLAY™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	22A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	151nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2400pF @ 25V
Power - Max	135W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB22NS25Z (MOSFET)

N-channel 250V - 0.13? - 22A - D2PAK Zener-protected MESH OVERLAY™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB22NS25Z datasheet
311.6 Кб