STB24NM65N
N-channel 650 v - 0.16 ? - 19 a - d2pak second generation mdmesh™ power mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | MDmesh™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 19A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2500pF @ 50V |
| Power - Max | 160W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STB24NM65N (MOSFET) N-channel 650 V - 0.16 ? - 19 A - D2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET
Производитель:
|
