STB25NM60N
N-channel 600 v, 0.130 ? , 21 a, mdmesh™ ii power mosfet i2pak, d2pak
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | MDmesh™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 10.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 21A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 84nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 50V |
| Power - Max | 160W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STB25NM60N (MOSFET) N-channel 600 V, 0.130 ? , 21 A, MDmesh™ II Power MOSFET I2PAK, D2PAK
Производитель:
|
