STB55NF06

Версия для печати

Технические характеристики STB55NF06

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 27.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	55A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	37nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1700pF @ 25V
Power - Max	95W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB55NF06 (MOSFET)

N-channel 60V - 0.015? - 50A - D2PAK/I2PAK STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB55NF06 datasheet
541.3 Кб