STB60NH02L

Версия для печати

Технические характеристики STB60NH02L

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	STripFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	60A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 15V
Power - Max	70W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB60NH02L (MOSFET)

N-CHANNEL 24V - 60A D2PAK STripFET™ III POWER MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB60NH02L datasheet
327.3 Кб