STB80NF55L-06


N-channel 55v - 0.005 w - 80a d?pak stripfet™ ii power mosfet

Купить STB80NF55L-06 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STB80NF55L-06
Версия для печати

Технические характеристики STB80NF55L-06

СерияSTripFET™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5 mOhm @ 40A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C80A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs136nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4850pF @ 25V
Power - Max300W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB80NF55L-06 (MOSFET)

N-CHANNEL 55V - 0.005 W - 80A D?PAK STripFET™ II POWER MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB80NF55L-06 datasheet
397.4 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход