STB8NM60D


N-channel 600v - 0.9? - 8a - d2pak fast diode mdmesh™ power mosfet

Купить STB8NM60D ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STB8NM60D
Версия для печати

Технические характеристики STB8NM60D

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияMDmesh™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs1 Ohm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds380pF @ 25V
Power - Max100W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB8NM60D (MOSFET)

N-CHANNEL 600V - 0.9? - 8A - D2PAK Fast Diode MDmesh™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB8NM60D datasheet
737.8 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход