STGB3NB60SD
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 3 а семейства power mesh™
Версия для печати
Технические характеристики STGB3NB60SD
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Серия | PowerMESH™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 70W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
STGB3NB60SD (IGBT)
N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства Power MESH™
Производитель:
STMicroelectronics
|
