STGB8NC60KD


Igbt-транзистор на 600 в, 8 а с усиленной защитой от короткого замыкания

Купить STGB8NC60KD ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STGB8NC60KD
Версия для печати

Технические характеристики STGB8NC60KD

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600V
СерияPowerMESH™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.75V @ 15V, 3A
Current - Collector (Ic) (Max)15A
Power - Max65W
Тип входаStandard
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STGB8NC60KD (IGBT)

IGBT-транзистор на 600 В, 8 А с усиленной защитой от короткого замыкания

Производитель:
STMicroelectronics

STGB8NC60KD datasheet
560.2 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход