STI12NM50N


N-channel 500 v, 0.29 ?, 11 a mdmesh™ ii power mosfet i2pak

Купить STI12NM50N ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STI12NM50N
Версия для печати

Технические характеристики STI12NM50N

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияMDmesh™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs380 mOhm @ 5.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C11A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds940pF @ 50V
Power - Max100W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
КорпусI2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STI12NM50N (MOSFET)

N-channel 500 V, 0.29 ?, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET I2PAK

Производитель:
STMicroelectronics

STI12NM50N datasheet
586.8 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход