STP30NM30N


N-channel 300v - 0.078? - 30a - to-220 ultra low gate charge mdmesh™ ii power mosfet

Купить STP30NM30N ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STP30NM30N
Версия для печати

Технические характеристики STP30NM30N

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияMDmesh™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs90 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C30A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs75nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2500pF @ 50V
Power - Max160W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP30NM30N (MOSFET)

N-channel 300V - 0.078? - 30A - TO-220 Ultra low gate charge MDmesh™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP30NM30N datasheet
289 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход