STP62NS04Z

Версия для печати

Технические характеристики STP62NS04Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MESH OVERLAY™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	33V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	62A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	47nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1330pF @ 25V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP62NS04Z (MOSFET)

N-channel clamped 12.5m? - 62A - TO-220 Fully protected MESH OVERLAY™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP62NS04Z datasheet
278.5 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-NP0-470PF 5% 50V	Керамический конденсатор чип 470пФ, 50 В, 5%, NP0	MURATA
0805-NP0-470PF 5% 50V	Керамический конденсатор чип 470пФ, 50 В, 5%, NP0			1.28
2SK3265	N-MOS 700V, 10A, 45W	TOSHIBA
2SK3265	N-MOS 700V, 10A, 45W	TOS
2SK3265	N-MOS 700V, 10A, 45W	ГЕРМАНИЯ
2SK3265	N-MOS 700V, 10A, 45W
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
КТ644Г		КРЕМНИЙ	80	43.35
КТ644Г			506	12.32
КТ644Г		БРЯНСК	321	12.00
КТ644Г		РИГА