Версия для печати
Технические характеристики STP9NK50ZFP

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 3.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	910pF @ 25V
Power - Max	30W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220FP
Корпус	TO-220FP

STP9NK50ZFP (MOSFET) N-CHANNEL 500V - 0.72? - 7.2A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP9NK50ZFP datasheet 365 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BZX55-C16			DC COMPONENTS	2 552	1.85
		BZX55-C16
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%		24 012	1.51
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	FAIR
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	VISHAY
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	FAIRCHILD
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	FAIRCHILD
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	OTHER	3 972
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	GALAXY
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	Fairchild Semiconductor
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	КИТАЙ
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	KINGTRONICS
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	GALAXY ME
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	PANJIT	754	2.28
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	HOTTECH
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	YANGJIE (YJ)
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	KLS
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	1
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	YIXING	19 200	1.34  >100 шт.   0.67
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	RUME	16 000	1.34  >100 шт.   0.67
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	DIODES
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MCC
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления		23 164	1.43
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WTE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MIC	31 542	2.20
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	КИТАЙ
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY ME
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KINGTRONICS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	SUNTAN	5 572	2.89
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KLS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WUXI XUYANG
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	HOTTECH
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE (YJ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YJ	24	2.95
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	CTK	256	4.44
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YIXING	8 000	1.72
		HER308 (3A 1000V)		диод из серии высокоэффективных диодов с малым временем восстановления
		L/H KSM440BAM			SONY
		L/H KSM440BAM					2 440.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"