STS30N3LLH6

Версия для печати

Технические характеристики STS30N3LLH6

Серия	STripFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	40nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4040pF @ 25V
Power - Max	2.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STS30N3LLH6 (MOSFET)

N-channel 30 V, 0.0016 ?, 30 A, SO-8 STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STS30N3LLH6 datasheet
224 Кб