STU95N3LLH6

Версия для печати

Технические характеристики STU95N3LLH6

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	STripFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 40A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2200pF @ 25V
Power - Max	70W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	I-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STU95N3LLH6 (MOSFET)

N-channel 30 V, 0.0035 ? , 80 A, IPAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STU95N3LLH6 datasheet
503.2 Кб