SUP60N02-4m5P
N-channel 20-v (d-s) 175c mosfet
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 60A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5950pF @ 10V |
| Power - Max | 3.75W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SUP60N02-4m5P (MOSFET) N-Channel 20-V (D-S) 175C MOSFET
Производитель:
|
