FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | TrenchFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 30A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 60A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3820pF @ 25V |
Power - Max | 150W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
SUP60N10-16L (MOSFET) N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BTW67-1000 | ST MICROELECTRONICS | |||||||
BTW67-1000 | ||||||||
BTW67-1000 | STMicroelectronics | |||||||
Д248Б | 402 | 97.20 | ||||||
Д248Б | САРАНСК | 92 | 90.00 | |||||
Д248Б | П/П 2 | |||||||
Д248Б | ОРБИТА | 84 | 132.60 | |||||
Д248Б | СЗТП | 8 | 255.00 | |||||
Д248Б | РОССИЯ | |||||||
Д248Б | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО | |||||||
Д816Г | металл | 500 | 108.50 | |||||
Д816Г | металл | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП | ||||||
Д816Г | металл | НОВОСИБИРСК | ||||||
Д816Г | металл | RUS | ||||||
Д816Г | металл | НЭВЗ | ||||||
Д816Г | металл | СЗТП | 80 | 117.30 | ||||
Д816Г | металл | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО | ||||||
К50-35 100М 200В |
|