TK12A60U
Silicon n channel mos type (dtmos)
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 720pF @ 10V |
| Power - Max | 35W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 2-10U1B |
| Корпус | TO-220SIS |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
TK12A60U (MOSFET) Silicon N Channel MOS Type (DTMOS)
Производитель:
|
