TK12J60U

Версия для печати

Технические характеристики TK12J60U

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	720pF @ 10V
Power - Max	144W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3PN, 2-16C1B
Корпус	TO-3P(N)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TK12J60U (MOSFET)

Silicon N Channel MOS Type (DTMOS)

Производитель:
Toshiba

TK12J60U datasheet
193.5 Кб