TK20D60U

Версия для печати

Технические характеристики TK20D60U

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1470pF @ 10V
Power - Max	190W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220
Корпус	TO-220(W)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TK20D60U (MOSFET)

Silicon N Channel MOS Type (DTMOS)

Производитель:
Toshiba

TK20D60U datasheet
192.7 Кб